| 发明名称 | 保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法 | ||
| 摘要 | 一种保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法，包括：在互补金属氧化物半导体电路中提供双向可控硅整流器；使双向可控硅整流器与互补金属氧化物半导体电路的衬底相隔离；提供一个连接到双向可控硅整流器上的信号焊盘，以便接收静电放电；以及用双向可控硅整流器保护器件免受静电放电的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1805129A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200610000367.9 | 申请日期 | 2003.04.30 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 张智毅 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种保护互补金属氧化物半导体器件免受静电放电影响的方法，包括：在互补金属氧化物半导体电路中提供双向可控硅整流器；使双向可控硅整流器与互补金属氧化物半导体电路的衬底相隔离；提供一个连接到双向可控硅整流器上的信号焊盘，以便接收静电放电；以及用双向可控硅整流器保护器件免受静电放电的影响。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||