使用单-多晶P快闪技术之非挥发性记忆体解决方案NONVOLATILE MEMORY SOLUTION USING SINGLE-POLY PFLASH TECHNOLOGY

摘要

一种用于多次程式化应用之单–多晶双电晶体PMOS记忆体单元，其包括一与一PMOS选择闸电晶体共享一汲极／源极P＋扩散区之PMOS浮闸电晶体，其中该PMOS选择闸电晶体与该PMOS浮闸电晶体均形成于一第一n–井内。一用于该浮闸电晶体之控制板形成于一第二n–井内。一用于一次程式化应用之单–多晶双电晶体PMOS记忆体单元包括一PMOS浮闸电晶体，其中该PMOS浮闸电晶体具有一作为一P＋扩散区而形成于一单一n–井内之源极。该源极亦可被调整以用作该浮闸电晶体之控制板。