晶圆结构、晶片封装结构、晶片结构及其制程

摘要

一种晶片制程，其包括下列步骤。首先，在一晶圆之一表面上形成一第一聚合物层，且第一聚合物层系暴露出晶圆之多个接垫。然后，在晶圆之另一表面上形成一第二聚合物层。在这些接垫上形成一球底金属层，接着在每一接垫之球底金属层上形成一凸块。切割晶圆，以形成多个晶片结构。基于上述，本发明之晶片制程所制造出的晶片结构具有较小的翘曲变形幅度。此外，本发明亦分别揭露一种晶圆结构、晶片结构与晶片封装结构。