以紫外光照射低温磊晶生长含矽层的方法

摘要

本发明揭露一种制备一乾净基材表面以进行选择性或毯覆式磊晶沉积含矽与／或含锗薄膜的方法，亦揭露一种成长该含矽与／或含锗薄膜的方法，其中该基材清洗方法与该薄膜成长方法系在低于700℃之温度下执行，且该温度通常约介于700℃至500℃之间。在该清洗与该薄膜成长方法中，于用来成长含矽薄膜的处理体积内使用一波长约介于310至120奈米间的辐射。该辐射与特定分压范围的活性清洗物或形成薄膜之组成物并用时，可在低于知技术之温度下进行基材清洗与薄膜磊晶成长。