用于高速应用之半导体绝缘体半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体绝缘体半导体(SIS)装置以及用于制造该SIS装置之装置。该SIS装置包含一下部半导体层、一上部半导体层，及一中心绝缘层，其位于该下部半导体层与该上部半导体层之重叠部分之间。该中心绝缘层经氮化以使该层对掺杂剂物质而言为不太可渗透的，且因此最小化了掺杂剂的交叉扩散。随后，该SIS装置之转换特征于该SIS装置例如用作一积体光学调变器时得到最佳化。