制造侧面半导体元件的方法

摘要

一种侧面接面半导体元件及其制造方法，包含下列步骤：藉由许多排成一串大致平行的平面之半导体材料层，形成具有堆叠结构之半导体结构(2)，其中第一层(4)之半导体材料具有第一浓度之第一极性的超量电荷载子；及选择性移除第一层(4)的半导体材料，其深度系沿着大致平行结构的各层平面之第一方向改变，使得可以在活性层(8)中，沿着第一方向，提供第一极性的电荷载子之浓度梯度。光子源包含该侧面接面半导体元件。