发明名称 Integrierte DRAM-Speichervorrichtung
摘要 Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine integrierte Speichervorrichtung mit einer Reihe von Speicherblöcken, in denen Speicherzellen enthalten sind, wobei die Speicherzellen in einer Matrix aus Wortleitungen und Bitleitungen angeordnet sind, wobei die mehreren Speicherblöcke einen ersten Speicherblocksatz aufweisen, dessen Speicherzellen eine erste Zugriffszeit für einen wahlfreien Zugriff aufweisen, und einen zweiten Speicherblocksatz, dessen Speicherzellen eine zweite Zugriffszeit für einen wahlfreien Zugriff aufweisen, und wobei die zweite Zugriffszeit kürzer als die erste Zugriffszeit ist.
申请公布号 DE102005056350(A1) 申请公布日期 2006.07.13
申请号 DE20051056350 申请日期 2005.11.25
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 POECHMUELLER, PETER
分类号 G11C7/22 主分类号 G11C7/22
代理机构 代理人
主权项
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