发明名称 |
扫描曝光方法以及装置制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种扫描曝光方法,用于利用弧形照射光照射掩膜上的图形,并且用于将由照射光学系统照射的掩膜上的图形投影到板片上,扫描曝光设备相对于投影光学系统同步扫描掩膜和板片,所述方法包括如下步骤:曝光焦距测量图形掩膜;由板片上的焦距测量图形图像的光强度或分辨率性能,测量特定区域的聚焦位置;线性内插测量结果并确定图像平面位置;计算用于倾斜掩膜和/或板片的倾斜角度,使得将板片表面置于图像表面位置的聚焦平面中;根据计算的数据,校正掩膜托架和/或板片托架的倾斜;以及曝光实际的掩膜。本发明还提供了一种装置制造方法包括如下步骤:使用上述扫描曝光方法将装置图形曝光到板片上,并将已被曝光的板片显影。 |
申请公布号 |
CN1800991A |
申请公布日期 |
2006.07.12 |
申请号 |
CN200510093213.4 |
申请日期 |
2003.06.27 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
香田徹;筒井慎二 |
分类号 |
G03F9/02(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/22(2006.01) |
主分类号 |
G03F9/02(2006.01) |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
1.一种扫描曝光方法,用于利用弧形照射光照射掩膜上的图形,并且用于将由照射光学系统照射的所述掩膜上的所述图形投影到一个板片上,扫描曝光设备相对于投影光学系统同步扫描所述掩膜和所述板片,并使掩膜支撑机构仅在与扫描方向平行的两边支撑所述掩膜,所述方法包括如下步骤:曝光焦距测量图形掩膜;由所述板片上的焦距测量图形图像的光强度或分辨率性能,测量特定区域的聚焦位置;线性内插测量结果并确定图像平面位置;计算用于倾斜所述掩膜和/或所述板片的倾斜角度,使得将所述板片表面置于图像表面位置的聚焦平面中;根据计算的数据,校正掩膜托架和/或板片托架的倾斜;以及曝光实际的掩膜。 |
地址 |
日本东京都 |