无应力浅沟渠隔离结构的形成方法

摘要

一种形成无应力浅沟渠隔离(shallow trenchisolation，STI)结构的方法，于浅沟渠隔离结构的沟渠表面沉积一非晶硅层，并以高温氧化的方式将非晶硅层氧化为二氧化硅层，以作为沟渠的衬底氧化层。此种衬底氧化层整体的厚度皆会一致，利用此特性可避免因厚度不一致所产生的应力，进而防止半导体元件间的漏电流现象。

主权项

1.一种于一衬底上制作无应力浅沟渠隔离结构的方法，包含：形成一垫氧化层于该衬底上；沉积一掩模层于该垫氧化层上；涂布一光致抗蚀剂于该掩模层上；移除未受该光致抗蚀剂所覆盖的该掩模层及该垫氧化层；移除未受该掩模层及该垫氧化层所覆盖的该衬底，以形成一沟渠；沉积一非晶硅层于该沟渠与该掩模层的表面；氧化该非晶硅层，以得到一衬底氧化层；沉积一填补层于该沟渠中与该衬底氧化层的表面；移除较该掩模层为高的该衬底氧化层与该填补层；以及移除该掩模层、该垫氧化层以及较该衬底为高的该填补层。