发明名称 |
半导体激光器件以及光盘再现和记录装置 |
摘要 |
本发明提供一种具有大于760nm且小于800nm的振荡波长、高可靠性、长工作寿命和高输出的半导体激光器件,及利用所述半导体激光器件的光盘再现和记录装置。至少第一和第二下盖层103和133、由阱层和垒层构成的的量子阱有源层105及第一和第二上盖层107和109层叠在GaAs衬底上。阱层和垒层由InGaAsP制成,阱层的总层厚d为160,假定阱层的每一层的层厚是d且阱层的每一层的光限制因数是Γ,那么Γ/d不小于2.2×10<SUP>-4</SUP><SUP>-1</SUP>且不大于2.75×10<SUP>-4</SUP><SUP>-1</SUP>。 |
申请公布号 |
CN1264261C |
申请公布日期 |
2006.07.12 |
申请号 |
CN03110719.2 |
申请日期 |
2003.01.15 |
申请人 |
夏普公司 |
发明人 |
河西秀典;藤城芳江;蛭川秀一 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01);G11B7/00(2006.01);H01S5/22(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种半导体激光器件,其由在GaAs衬底上层叠的至少一第一导电型下盖层、一包括阱层和垒层的量子阱有源层和一第二导电型上盖层构成,并具有大于760nm且小于800nm的振荡波长,其中该阱层和垒层由InGaAsP、InGaP或GaAsP制成,以及假定该阱层的每一层的层厚是d且阱层的每一层的光限制因数是Г,那么Г/d不小于2.2×10-4-1且不大于2.75×10-4-1。 |
地址 |
日本大阪府 |