发明名称 电接点装置
摘要 电接点装置(X1)包含有:第1接触子,系具有接点部(C1, C2)者;第2接触子,系具有与接点部(C1)对向之接点部(C3)和与接点部(C2)对向之接点部(C4)者;及电路构造(Y1),系并联配置有:旁路(YA),系含有由接点部(C1,C3)构成之电接点(SA),且在电接点(SA)之闭状态时具有相对较低电阻者;及旁路(YB),系含有由接点部(C2,C4)构成之电接点(SB),且在电接点(SB)之闭状态时具有相对较高电阻者。在该第1接触子和该第2接触子接近之闭合动作中,当接点部(C2)和接点部(C4)抵接之后,接点部(C1)和接点部(C3)抵接。在该第1接触子和该第2接触子远离之断开动作中,当接点部(C1)和接点部(C3)分离之后,接点部(C2)和接点部(C4)分离。
申请公布号 TWI258156 申请公布日期 2006.07.11
申请号 TW092114029 申请日期 2003.05.23
申请人 富士通股份有限公司 发明人 若月昇;米泽游;佐藤良夫;中谷忠司;宫下勉
分类号 H01H33/12 主分类号 H01H33/12
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种电接点装置,包含有: 第1接触子,系具有第1接点部和第2接点部者; 第2接触子,系具有与该第1接点部对向之第3接点部 和与该第2接点部对向之第4接点部者;及 电路构造,系并联配置有: 第1旁路,系含有由该第1接点部和该第3接点部构成 之第1电接点,且在该第1电接点之开状态时具有相 对较小之电阻者;及 第2旁路,系含有由该第2接点部和该第4接点部构成 之第2电接点,且在该第2电接点之闭状态时具有相 对较大之电阻者, 又,在该第1接触子和该第2接触子接近之闭合动作 中,当该第2接点部和该第4接点部抵接之后,该第1 接点部和该第3接点部抵接,且在该第1接触子和该 第2接触子远离之断开动作中,当该第1接点部和该 第3接点部分离之后,该第2接点部和该第4接点部分 离。 2.如申请专利范围第1项之电接点装置,其中在前述 第1电接点为开状态且前述第2电接点为开状态之 断开状态时,前述第1接点部和前述第3接点部之间 之分离距离系较前述第2接点部和前述第4接点部 之间之分离距离长。 3.如申请专利范围第1项之电接点装置,其中前述第 2旁路包含有电阻体,该电阻体具有较前述第2电接 点之接触电阻大之电阻并相对于前述第2电接点串 联配置。 4.如申请专利范围第1项之电接点装置,其中前述第 2电接点之接触电阻系较前述第1电接点之接触电 阻大。 5.如申请专利范围第1项之电接点装置,其中前述第 2接点部和/或前述第4接点部系由包含选自于Ta、W 、C、Mo之金属元素之金属,氧化物或氮化物所构成 者。 6.如申请专利范围第1项之电接点装置,其中前述第 3接点部和前述第4接点部系包含于一单一平面电 极者。 7.一种电接点装置,包含有: 第1接触子,系具有多数第1接点部和多数第2接点部 者; 第2接触子,系具有多数分别与其中一前述第1接点 部对向之第3接点部和多数分别与其中一前述第2 接点部对向之第4接点部者;及 电路构造,系并联配置有: 多数第1旁路,系含有由前述第1接点部和前述第3接 点部构成之第1电接点,且在前述第1电接点之开状 态时具有相对较小之电阻者;及 多数第2旁路,系含有由前述第2接点部和前述第4接 点部构成之第2电接点,且在前述第2电接点之闭状 态时具有相对较大之电阻者, 又,在前述第1接触子和前述第2接触子接近之闭合 动作中,当所有前述第2电接点之前述第2接点部和 前述第4接点部抵接之后,所有前述第1电接点之前 述第1接点部和前述第3接点部抵接,且在前述第1接 触子和前述第2接触子远离之断开动作中,当所有 前述第1电接点之前述第1接点部和前述第3接点部 分离之后,所有前述第2电接点之前述第2接点部和 前述第4接点部分离。 8.如申请专利范围第7项之电接点装置,其中在所有 前述第1电接点为开状态且所有前述第2电接点为 开状态之断开状态时,所有前述第1电接点之前述 第1接点部和前述第3接点部之间之分离距离,系较 所有前述第2电接点之前述第2接点部和前述第4接 点部之间之分离距离长。 9.如申请专利范围第7项之电接点装置,其中前述第 2旁路包含有电阻体,该电阻体具有较前述第2电接 点之接触电阻大之电阻并相对于前述第2电接点串 联配置。 10.如申请专利范围第7项之电接点装置,其中前述 第2电接点之接触电阻系较前述第1电接点之接触 电阻大。 11.如申请专利范围第7项之电接点装置,其中前述 第2接点部和/或前述第4接点部系由包含选自于Ta 、W、C、Mo之金属元素之金属,氧化物或氮化物所 构成者。 12.如申请专利范围第7项之电接点装置,其中 前述第1接触子具有: 基部,系具有第1面和与该第1面相反之第2面者; 多数突部,系设在该基部之该第1面上,且分别于突 端具有前述第1接点部者;及 第1平面电极,系设在该第1面上,且包含有前述多数 第2接点部者, 又,前述第2接触子具有: 第2平面电极,系包含有前述多数突部之突端和前 述第1平面电极可抵接的前述多数第3接点部和前 述多数第4接点部者。 13.如申请专利范围第12项之电接点装置,其中前述 第2旁路包含有电阻体部,该电阻体部具有较前述 第2电接点之接触电阻大之电阻并相对于前述第2 电接点串联配置,且该电阻体部构成于前述基部和 前述突部之内部。 14.如申请专利范围第13项之电接点装置,其中前述 基部和前述突部系由矽材料构成,且前述基部和前 述突部中,至少于前述电阻体部掺杂有不纯物。 15.如申请专利范围第13项之电接点装置,其中于前 述基部之前述第2面,设有与多数前述电阻体部电 气连接之共通电极。 16.如申请专利范围第12项之电接点装置,其中前述 基部于每一前述电接点具有可挠构造,用以吸收在 前述电接点之开状态时,产生于前述第1接点部和 前述第3接点部之间之接触反力。 17.如申请专利范围第16项之电接点装置,其中前述 基部具有单边固定梁部作为前述可挠构造,且前述 突部系设于前述单边固定梁部上。 图式简单说明: 第1图显示本发明第1方面之电接点装置之电路构 造。 第2A图~第2C图显示本发明第1方面之电接点装置开 开动作时,该动作过程中电路构造的变化。 第3图显示本发明第2方面之电接点装置之电路构 造。 第4A图~第4C图显示本发明第2方面之电接点装置开 闭动作时,该动作过程中电路构造的变化。 第5图显示本发明第1实施形态之电接点装置。 第6图系第5图所示之电接点装置之第1接触子的平 面图。 第7A~第7D图显示第5图所示之电接点装置之第1接触 子之制造方法的一部份步骤。 第8A~第8D图显示继第7D图之后的步骤。 第9A~第9D图显示继第8D图之后的步骤。 第10A~第10C图显示第5图所示之电接点装置之闭合 过程和断开过程。 第11图显示本发明第2实施形态之电接点装置。 第12图显示处于开状态之习知电接点装置。 第13图显示处于闭状态之第12图之电接点装置。 第14图系显示电弧放电产生机率之接点间电流相 依性之一例的图表。
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