| 主权项 |
1.一种双载子电晶体,该电晶体至少包括: 一半导体基板; 一磊晶层,形成于该半导体基板上; 一集极层,形成于该磊晶层上; 一基极层,形成于该磊晶层上; 一射极层,形成于该基极层中;及 一低掺杂层,形成于该基极层与该射极层之周边表 面间; 藉此,该低掺杂层可以有效降低从该基极层回流到 该射极层的周边无效电流,以提高基极层到该射极 层的周边表面顺向偏压,而达到高电流增益之特性 。 2.如申请专利范围第1项所述之双载子电晶体,其中 进一步包括有一深埋层,系形成于该半导体基板与 该磊晶层间。 3.如申请专利范围第1项所述之双载子电晶体,其中 该半导体基板系由低浓度p型掺杂之半导体或低浓 度n型掺杂之半导体所组成。 4.如申请专利范围第2项所述之双载子电晶体,其中 该深埋层系由高浓度n型掺杂之半导体或高浓度p 型掺杂之半导体组成。 5.如申请专利范围第1项所述之双载子电晶体,其中 该磊晶层系由低浓度n型掺杂之半导体或低浓度p 型掺杂之半导体组成。 6.如申请专利范围第1项所述之双载子电晶体,其中 该集极层与该射极层系由高浓度n型掺杂之半导体 或高浓度p型掺杂之半导体组成。 7.如申请专利范围第1项所述之双载子电晶体,其中 该基极层系由高浓度p型掺杂之半导体或高浓度n 型掺杂之半导体组成。 8.如申请专利范围第1项所述之双载子电晶体,其中 该低掺杂层系由低浓度p型掺杂之半导体或低浓度 n型掺杂之半导体组成。 9.一种双载子电晶体,该电晶体至少包括依序形成 于一半导体基板上之一集极层、一基极层以及一 射极层,其特征在于: 该电晶体进一步包括有一低掺杂层,形成于该基极 层与该射极层之周边表面间,该低掺杂层可以有效 降低从该基极层回流到该射极层的周边无效电流, 以提高基极层到该射极层的周边表面顺向偏压,而 达到高电流增益之特性。 10.如申请专利范围第9项所述之双载子电晶体,其 中该集极层与该射极层系由高浓度n型掺杂之半导 体或高浓度p型掺杂之半导体组成。 11.如申请专利范围第9项所述之双载子电晶体,其 中该基极层系由高浓度p型掺杂之半导体或高浓度 n型掺杂之半导体组成。 12.如申请专利范围第9项所述之双载子电晶体,其 中该低掺杂层系由低浓度p型掺杂之半导体或低浓 度n型掺杂之半导体组成。 13.一种双载子电晶体的制造方法,步骤包括有: 提供一半导体基板; 成长一磊晶层于该半导体基板上; 形成一基极层于该磊晶层中; 形成一集极层于该磊晶层中; 形成一射极层于该基极层中;及 形成一低掺杂层于该基极层与该射极层之周边表 面间。 14.如申请专利范围第13项所述之双载子电晶体的 制造方法,在提供一半导体基板步骤后,进一步形 成一深埋层于该半导体基板上。 15.如申请专利范围第13项所述之双载子电晶体的 制造方法,其中该半导体基板系由低浓度p型掺杂 之半导体或低浓度n型掺杂之半导体所组成。 16.如申请专利范围第14项所述之双载子电晶体的 制造方法,其中该深埋层系由高浓度n型掺杂之半 导体或高浓度p型掺杂之半导体组成。 17.如申请专利范围第13项所述之双载子电晶体的 制造方法,其中该磊晶层系由低浓度n型掺杂之半 导体或低浓度p型掺杂之半导体组成。 18.如申请专利范围第13项所述之双载子电晶体的 制造方法,其中该基极层与该低掺杂层系由p型掺 杂之半导体或低掺杂层系由n型掺杂之半导体组成 。 19.如申请专利范围第13项所述之双载子电晶体的 制造方法,其中该集极层与该射极层系由高浓度n 型掺杂之半导体或高浓度p型掺杂之半导体组成。 图式简单说明: 第一图为习知NPN双载子电晶体的符号和条状结构 示意图; 第二图为习知NPN双载子电晶体的截面示意图; 第三图为本发明较佳实施例之NPN双载子电晶体的 截面示意图;及 第四A到第四E为本发明较佳实施例之双载子电晶 体之部份制程的剖面示意图。 |
