Verfahren zum Behandeln einer Halbleiterscheibe mit einem gasförmigen Medium sowie damit behandelte Halbleiterscheibe

摘要

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Behandeln einer Halbleiterscheibe mit einem gasförmigen Medium, enthaltend Fluorwasserstoff und wenigstens ein die Oberfläche der Halbleiterscheibe oxidierendes Oxidationsmittel, dadurch gekennzeichnet, dass das gasförmige Medium die Oberfläche der Halbleiterscheibe mit einer Relativgeschwindigkeit im Bereich von 40 mm/s bis 300 m/s anströmt. DOLLAR A Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Halbleiterscheibe und eine SOI-Scheibe mit geringer Rauhigkeit und Metallkonzentration.