| 发明名称 | 形成氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成氧化层的方法，该方法在具有不同掺杂水平和/或不同掺杂剂类型的表面上形成基本上均匀的氧化物膜。在一个方面，公开了一种在重度掺杂的n型和p型栅极的侧壁上形成均匀的氧化物隔离壁的方法。该方法包括：提供一半导体衬底，其具有至少两个有相异掺杂剂特性的区域；可选地加热该衬底；以及通过将衬底暴露在包括原子氧的气体混合物中来在该至少两个区域上形成均匀的氧化层。 | ||
| 申请公布号 | CN1263105C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN03152636.5 | 申请日期 | 2003.08.01 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 奥利格·格卢申科夫;布鲁斯·B·多丽丝;奥默·H·多库马西 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/473(2006.01);H01L21/283(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种形成氧化层的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，其具有至少两个有相异掺杂剂特性的区域；以及通过将衬底暴露在包括原子氧和分子氧的气体混合物中来在该至少两个区域上形成均匀的氧化层，其中原子氧与分子氧之比为0.000001至100。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||