| 发明名称 | 薄膜处理方法和薄膜处理系统 | ||
| 摘要 | 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。 | ||
| 申请公布号 | CN1263097C | 申请公布日期 | 2006.07.05 |
| 申请号 | CN200310123023.3 | 申请日期 | 2003.12.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 大西正;滨学;本多稔;光冈一行;岩下光秋 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01);H01L21/3105(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种薄膜处理方法，包括：测定形成在被处理体表面上的膜的膜厚的工序；以及从多个电子束管向所述膜照射电子束而调整所述膜厚的工序；其特征在于：在调整所述膜厚的工序中，根据所述膜厚的测定结果，单独控制所述多个电子束管各自的输出或照射时间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||