发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING FULL DIP OUT PROCESS
摘要
申请公布号 KR20060074980(A) 申请公布日期 2006.07.04
申请号 KR20040113523 申请日期 2004.12.28
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 LIM, CHANG MOON;PARK, SA RO HAN
分类号 H01L27/10;H01L27/04;H01L27/108 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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