发明名称 | 酸槽与反应槽稳定度的侦测方法 | ||
摘要 | 一种酸槽与反应槽稳定度的侦测方法。其中,酸槽稳定度的侦测方法系先提供一基底,再于此基底面形成一多晶质层。然后,将形成有多晶质层的基底放置到酸槽内,进行反应制程。接着取出此基底,以及利用一表面破坏检测机台对此基底的多晶质层表面进行量测,以判定酸槽的稳定度。此方法是利用多晶质层晶粒边界反应较快的特性,经由表面破坏检测机台,可以直接且快速得知多晶质层的表面结构是否因酸槽的稳定度不佳而受到损害。 | ||
申请公布号 | TW200623294 | 申请公布日期 | 2006.07.01 |
申请号 | TW093139776 | 申请日期 | 2004.12.21 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 张原勋;黄良田;吕志原;许哲恺;林依亮 |
分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |