| 主权项 |
1.一种生产经烧结的多孔物体之方法,其中 将生成金属间相或混合晶体的至少一种烧结活性 粉末涂覆于一种多孔基体之表面,随后进行加热处 理,在加热处理期间生成具有增加比表面积的金属 间相或混合晶体。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该混合晶体 或金属间相系用粉末中存在的成分所生成。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该混合晶体 或金属间相系由该粉末和基体材料生成。 4.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该混合 晶体或金属间相系于该基体表面上的区域中生成 。 5.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用之 粉末选自镍、铁、钛、钴、铜、铝、矽、钼、钨 、铬(Cr)、钽(Ta)、铌(Nb)、锡(Sn)、锌(Zn)和铋及此 等元素之粉末混合物。 6.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用具 有小于0.15毫米之平均颗粒大小之粉末。 7.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用一 种镍/铝粉末混合物。 8.根据申请专利范围第7项之方法,其中所使用之镍 和铝系皆具有相同原子比。 9.根据申请专利范围第7项之方法,其中该铝化镍系 形成在一种生成延性核的多孔镍基体上。 10.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该原 料粉末系于惰性气体中研细。 11.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用 一种粉末,该粉末在避免相生成的同时用高能研磨 方法获得,且其中各成分为细薄片状。 12.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该基 体之孔隙系于生成金属间相或混合晶体之前用粉 末至少部分填充。 13.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用 一种粉末混合物,该混合物具有至少一种相对高熔 点之成分和至少一种相对低熔点之成分。 14.根据申请专利范围第13项之方法,其中该至少一 种具有相对低熔点之成分与基体材料生成金属间 相或混合晶体。 15.根据申请专利范围第14项之方法,其中该金属间 相或混合晶体系于生成具有相对低熔点成分的临 时液相之后生成。 16.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中金属 颗粒在基体的孔隙中生成,俾增加比表面积。 17.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该加 热处理系于适合所用粉末或粉末混合物之烧结温 度进行。 18.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中将该 粉末或粉末混合物在一种悬浮液/分散液中涂覆于 该多孔基体,并在加热处理之前进行乾燥。 19.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用 一种由金属制成的多孔基体。 20.根据申请专利范围第19项之方法,其中使用一种 由镍制成的多孔基体。 21.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用 一种由多孔塑胶制成的多孔基体。 22.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该有 机组分系于生成金属间相或混合晶体之前藉由750 ℃之最高温度的加热处理所排除。 23.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中使用 一种包含有机及/或无机接着剂之悬浮液/分散液 。 24.根据申请专利范围第18项之方法,其中该表面能 量或界面张力在涂覆悬浮液/分散液之前或期间系 可藉由一种物理-化学方法及/或悬浮液/分散液中 存在的一种物质所改变。 25.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该金 属间相或混合晶体系仅能由悬浮液/分散液中存在 的粉末组分所生成。 26.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该粉 末、粉末混合物或悬浮液/分散液系藉由浸渍、喷 涂或用压力载体涂覆。 27.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该粉 末或粉末混合物及/或多孔基体系于涂覆及烧结之 前磁化。 28.根据申请专利范围第1,2或3项之方法,其中该粉 末或粉末混合物及/或多孔基体系于涂覆及烧结之 前静电充电。 29.一种根据申请专利范围第1项之方法生产之经烧 结多孔物体,其中该金属间相或混合晶体系自至少 两种选自镍、铁、钛、钴、铜、铝、矽、钼和钨 之成分所生成。 30.根据申请专利范围第29项之物体,其中该金属间 相为铝化物或矽化物。 31.根据申请专利范围第29或30项之物体,其中一种 增加比表面积的表面涂层系已生成于一种多孔核 上。 32.根据申请专利范围第29或30项之物体,其中该表 面涂层系已自铝化镍或矽化钼生成。 33.根据申请专利范围第29或30项之物体,其中一种 充当催化剂或此类型物质之成分系已添加于该表 面上。 34.根据申请专利范围第29或30项之物体,其中SiC、 ZrO2、Al2O3、MgO2及/或TiB2系用以作为增强组分。 35.根据申请专利范围第29或30项之物体,其中存在 一自外向内之密度和/或孔隙度梯度。 36.根据申请专利范围第29或30项之物体,该物体由 一种具有一层表面涂层之金属多孔基体生成,该表 面涂层由金属间相或混合晶体生成。 37.根据申请专利范围第36项之物体,其中该基体系 由镍、铁、钛、钴、铜、铝、矽、钼或钨生成。 38.一种根据申请专利范围第29或30项所述之物体的 用途,其中该物体系作为过滤器或催化剂载体。 |
