| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其系藉由具复数像素电极之 第一基板与具相对电极之第二基板夹持液晶层,并 针对各像素电极,以包含闸极滙流排线及源极滙流 排线之滙流排线选择该像素电极而施加显示电压, 另一方面,对上述像素电极施加显示电压时,可在 一像素电极内形成液晶分子的配向方向不同之复 数区域,其特征在于: 隔着于上述各像素电极间所形成之像素电极间开 口部而彼此相对之像素电极的边缘部彼此,系彼此 具一定间隔而平行相对所形成;另一方面 上述滙流排线系沿着于上述各像素电极间所形成 的像素电极间开口部而设置,且配置于较像素电极 下方,进一步从平面观察时,重叠于各像素电极的 各端部。 2.如请求项1之液晶显示装置,其中以遮光性材料形 成前述滙流排线。 3.如请求项1之液晶显示装置,其中前述滙流排线进 一步具有辅助电容配线,其用以形成辅助电容。 4.如请求项1之液晶显示装置,其中在前述滙流排线 上形成层间绝缘膜。 5.如请求项3之液晶显示装置,其中前述层间绝缘膜 的厚度系1.5m以上3.5m以下。 6.如请求项1之液晶显示装置,其中在配置前述像素 电极之像素区域内设有产生倾斜电场之像素区域 内配向规定手段。 7.如请求项6之液晶显示装置,其中前述像素区域内 配向规定手段系形成于各像素电极之像素内开口 部。 8.如请求项6之液晶显示装置,其中前述像素区域内 配向规定手段系形成于相对电极之突出于液晶层 之突起。 9.如请求项6之液晶显示装置,其中前述像素区域内 配向规定手段系形成于各像素电极之像素内开口 部及形成于相对电极之突出于液晶层之突起。 10.如请求项8之液晶显示装置,其中突出于前述液 晶层之突起的高度系1m以上1.5m以下。 11.如请求项1之液晶显示装置,其中前述滙流排线 系源极滙流排线。 12.如请求项1之液晶显示装置,其中前述滙流排线 系闸极滙流排线。 13.如请求项11之液晶显示装置,其中前述各像素电 极及各像素电极间开口部系弯曲形成曲折状,且源 极滙流排线亦沿着各像素电极间开口部而弯曲设 成曲折状。 14.如请求项1之液晶显示装置,其中前述复数像素 区域系排列成由复数列及复数行所构成之矩阵状; 在一帧内,于前述复数像素区域中的任意第一像素 区域中,施加至液晶层之电压极性系属于上述第一 像素区域相同的列且于属于与上述第一像素区域 相邻接的行之第二像素区域中,与施加至液晶层之 电压极性不同。 15.如请求项14之液晶显示装置,其中在一帧内,于属 于前述复数像素区域中的任一行之复数像素区域 中,施加至液晶层的电压极性反转系每n(n为1以上 的整数)列反转。 16.如请求项15之液晶显示装置,其中前述n系1。 图式简单说明: 图1系显示本发明之液晶显示装置之实施一形态者 ,其系液晶面板的平面图。 图2(a)系模式显示上述液晶显示装置之未施加电压 状态的一像素区域剖面构造的剖面图。 图2(b)系于上述液晶显示装置的同一像素区域中显 示配向开始变化的状态(导通初期状态)的剖面图 。 图2(c)系于上述液晶显示装置的同一像素区域中显 示稳定状态的剖面图。 图3(a)系配设有滙流排线而不重叠于像素区域间的 剖面图。 图3(b)系在像素区域间配设有滙流排线以重叠于像 素区域的剖面图。 图4系模式显示接近液晶显示装置的源极滙流排线 之开口部附近的液晶分子配向情况的剖面图。 图5系模式显示在沿着上述液晶显示装置列方向而 邻接之像素区域施加极性不同的电压的情况的平 面图。 图6系模式显示在沿着列方向而邻接之二个像素区 域施加相同极性电压时的等电位线的剖面图。 图7系模式显示在沿着列方向而邻接之二个像素区 域施加不同极性电压时的等电位线的剖面图。 图8(a)系显示在任意的第一像素区域可施加于液晶 层的电压极性与属于与第一像素区域相同之列,且 在属于邻接第一像素区域之行之第二像素区域中 可施加于液晶层的电压极性不同之状态的平面图 。 图8(b)系显示在一帧内,每二列反转在属于复数像 素区域中任意一行之复数像素区域中可施加于液 晶层之电压极性之状态的平面图。 图8(c)系显示可进行所谓的点反转之各像素区域的 平面图。 图9系显示上述液晶显示装置变形例之像素区域的 平面图。 图10(a)系显示以往之液晶显示装置中形成有突起 时的,断路状态之液晶分子的配向状态的剖面图。 图10(b)系显示以往之液晶显示装置中形成有突起 时的,导通状态之液晶分子的配向状态的剖面图。 图11(a)系显示以往之液晶显示装置中像素区域的 平面图。 图11(b)系放大显示图11(a)之RG部的平面图。 图12系显示以往之其他液晶显示装置中像素区域 的平面图。 图13系显示上述液晶显示装置中像素区域之液晶 分子的配向状态的平面图。 图14系显示以往之其他液晶显示装置中像素区域 的平面图。 |
