| 主权项 |
1.一种晶圆表面微粒的监控方法,其利用一量测机 台,监测一晶圆实质有效表面上之微粒,其特征在 于: 在监测之前,先在该晶圆实质有效表面上形成一实 质均匀之共形披覆层,并控制其厚度使该表面上可 能有效之微粒轮廓被适当放大。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面微粒的监 控方法,其中形成该共形披覆层之方法系利用一快 速热制程沈积机台而形成的。 3.如申请专利范围第2项所述之晶圆表面微粒的监 控方法,其中形成该共形披覆层之压力系介于250 Torr至300 Torr之间。 4.如申请专利范围第2项所述之晶圆表面微粒的监 控方法,其中形成该共形披覆层之时间系介于6分 钟至10分钟之间。 5.如申请专利范围第2项所述之晶圆表面微粒的监 控方法,其中形成该共形披覆层之温度系介于摄氏 700度至摄氏800度之间。 6.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面微粒的监 控方法,其中该共形披覆层之厚度系介于1000埃至 2000埃之间。 7.如申请专利范围第1项所述之晶圆表面微粒的监 控方法,其中该共形披覆层之材质系选自氮化矽、 多晶矽与氧化矽。 8.一种制程微粒的监控方法,用以监控一制程机台 在生产时可能产生之微粒量,包括下列步骤: 将一控片置于一制程机台中,并模拟其制程状态; 在该控片表面上成长一层实质均匀之共形披覆层, 并控制其厚度使该控片表面上可能有之微粒轮廓 被适当放大;以及 利用一量测机台,对该共形披覆层表面,进行量测, 以发现可能之微粒。 9.如申请专利范围第8项所述之制程微粒的监控方 法,其中形成该共形披覆层之方法系利用一快速热 制程沈积机台而形成的。 10.如申请专利范围第9项所述之制程微粒的监控方 法,其中形成该共形披覆层之压力系介于250 Torr至 300 Torr之间。 11.如申请专利范围第9项所述之制程微粒的监控方 法,其中形成该共形披覆层之时间系介于6分钟至10 分钟之间。 12.如申请专利范围第9项所述之制程微粒的监控方 法,其中形成该共形披覆层之温度系介于摄氏700度 至摄氏800度之间。 13.如申请专利范围第8项所述之制程微粒的监控方 法,其中该共形披覆层之厚度系介于1000埃至2000埃 之间。 14.如申请专利范围第8项所述之制程微粒的监控方 法,其中该共形披覆层之材质系选自氮化矽、多晶 矽与氧化矽。 图式简单说明: 第1A图至第1B图为依照本发明一较佳实施例之晶圆 表面微粒之监测方法的流程剖面示意图。 |
