光阻剂处理方法

摘要

揭示一种光阻剂处理方法。本发明之方法系在光阻剂形成图样之后或之前，对光阻剂施以氩气电浆处理，以使光阻剂紧密化。

主权项

1.一种光阻剂处理方法,包含步骤有: 于一半导体结构上涂覆一层光阻剂; 于该光阻剂界定预定之图样; 移除该光阻剂不需要的部分,留下必要的部分以形 成图样;以及 对于留下之光阻剂施行紧密化处理。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该紧密化 处理包含电浆处理以使光阻剂紧密化。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该电浆处 理系利用氩气电浆。 4.一种光阻剂处理方法,包含步骤有: 于一半导体结构上涂履一层光阻剂; 于该光阻剂施行紧密化处理;以及 将该光阻剂形成图样。 5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该紧密化 处理包含电浆处理以使光阻剂紧密化。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该电浆处 理系利用氩气电浆。 图式简单说明: 图1系显示先前技术DRAM记忆体装置的制程中有两 个金属层相连通的制程部分欲形成图样之步骤;以 及 图2系显示根据本发明之DRAM记忆体装置的制程中 有两个金属层相连通的制程部分欲形成图样之步 骤。