| 主权项 |
1.一种湿蚀刻设备,包括呈顺序排布之: 一承载及缓冲区; 一第一蚀刻室,该第一蚀刻室使用蚀刻液对玻璃基 板进行预蚀刻及主蚀刻; 一清洗室,该清洗室采用高压水柱清除基板于该第 一蚀刻室内被蚀刻后形成在其表面上之副生成物; 一第二蚀刻室;及 一漂洗及乾燥传送区。 2.如申请专利范围第1项所述之湿蚀刻设备,其中该 承载及缓冲区包括顺序排布之基板承载室及缓冲 室。 3.如申请专利范围第2项所述之湿蚀刻设备,其中该 漂洗及乾燥传送区包括顺序排布之湿传送室、漂 洗室、乾燥室及乾传送室。 4.如申请专利范围第1项所述之湿蚀刻设备,其中该 承载及缓冲区包括顺序排布之基板承载室、乾传 送带及升降室。 5.如申请专利范围第4项所述之湿蚀刻设备,其中该 漂洗及乾燥传送区包括顺序排布之漂洗室、乾燥 室及乾传送室。 6.如申请专利范围第5项所述之湿蚀刻设备,其中该 乾传送带位于该乾燥室、漂洗室、第二蚀刻室、 该清洗室及该第一蚀刻室之上方,且与该基板承载 室及该升降室连接。 7.一种湿蚀刻方法,包括顺序排布之步骤: 承载及缓冲,承载所需要被蚀刻之玻璃基板并使顺 序进入下一步骤; 第一段蚀刻,使用蚀刻液对玻璃基板进行预蚀刻及 主蚀刻; 清洗,使用高压水柱清除玻璃基板于第一段蚀刻内 被蚀刻后形成在其表面上之副生成物; 第二段蚀刻,使用蚀刻液对玻璃基板进行过蚀刻; 漂洗及乾燥传送,送至后续制程。 8.如申请专利范围第7项所述之湿蚀刻方法,其中该 漂洗及乾燥传送系由滚筒或夹具伴以去离子水伴 随高压对玻璃基板进行清洗传送后,然后使用高压 水柱刮除玻璃基板表面之副生成物及伴随高密度 之喷雾对玻璃基板表面作彻底清洗,乾燥后传送至 后续制程。 图式简单说明: 第一图系一种先前技术湿蚀刻设备之立体结构示 意图。 第二图系本发明湿蚀刻设备第一实施方式之立体 结构示意图。 第三图系本发明湿蚀刻设备第二实施方式之立体 结构示意图。 第四图系本发明湿蚀刻方法之流程图。 |
