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经营范围
发明名称
磊晶矽晶圆之制造方法
摘要
〔课题〕提供一种可有效减少磊晶层之叠层缺陷之数量之磊晶矽晶圆之制造方法。〔解决手段〕使用氟酸水溶液洗净基板11之表面,去除基板11表面之氧化膜13同时,去除露出于基板11表面之COP111内之氧化膜112。之后,以臭氧水溶液洗净基板11后,形成氧化膜13于基板11之表面。接着,不对基板11进行热处理,以去除基板11表面之氧化膜13。如此可以使基板11表面之COP111平滑化,而使得基板11表面之COP111消失。最后于基板11表面形成磊晶层12。
申请公布号
TW200623254
申请公布日期
2006.07.01
申请号
TW094137635
申请日期
2005.10.27
申请人
小松电子金属股份有限公司
发明人
那须悠一;楢原和宏
分类号
H01L21/306;H01L21/20;C30B29/06;C30B15/00;C30B33/10
主分类号
H01L21/306
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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