可应用自动对准金属矽化物之罩幕式唯读记忆体的制造方法

摘要

本发明系揭露一种可应用自动对准金属矽化物之罩幕式唯读记忆体的制造方法，其系面对日益需求增加的逻辑区域运作速率之条件下，利用一剩余氮化层来保护记忆单元区域的埋入式掺杂区，以避免形成自动对准金属矽化物时，金属矽化物区域会造成所有埋入式位元线短路，而影响到电晶体间的操作与电性，产生漏电流与崩溃的情况产生，导致元件无法正常运作。