| 摘要 |
本发明系一种可控制闸极结构长度的蚀刻制程，其系利用硬式罩幕层(hard mask)，来提高对多晶矽层蚀刻时的选择比，在对多晶矽层的蚀刻制程中，采用三阶段的蚀刻(第一主蚀刻／第二主蚀刻／过度蚀刻)；在第一主蚀刻蚀刻气体中，包含四氟化碳来加强整个图案化硬式罩幕层及多晶矽层侧壁之高分子薄膜沉积物，使高分子薄膜沉积物转变为高分子薄膜组合物；高分子薄膜组合物能有效抵抗卤化物对多晶矽层的侧蚀，使得多晶矽层的水平宽度，不致因侧蚀所减少，图案化后之硬式罩幕层更能够抵抗蚀刻气体的侵蚀，维持应有的图案，解决知因图案化光阻因被侵蚀变形，导致整个闸极结构可能变小进而产生次始漏电的问题。 |
