发明名称 MULTIPLE LAYER PHASE-CHANGE MEMORY
摘要 A phase-change memory may be formed with at least two phase-change material layers separated by a barrier layer. The use of more than one phase-change layer enables a reduction in the programming volume while still providing adequate thermal insulation.
申请公布号 KR100594849(B1) 申请公布日期 2006.06.30
申请号 KR20047002915 申请日期 2002.08.20
申请人 发明人
分类号 H01L27/10;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/861;H01L45/00 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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