发明名称 |
MULTIPLE LAYER PHASE-CHANGE MEMORY |
摘要 |
A phase-change memory may be formed with at least two phase-change material layers separated by a barrier layer. The use of more than one phase-change layer enables a reduction in the programming volume while still providing adequate thermal insulation. |
申请公布号 |
KR100594849(B1) |
申请公布日期 |
2006.06.30 |
申请号 |
KR20047002915 |
申请日期 |
2002.08.20 |
申请人 |
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发明人 |
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分类号 |
H01L27/10;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/861;H01L45/00 |
主分类号 |
H01L27/10 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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