| 发明名称 |
Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung |
| 摘要 |
<p>Es wird ein Bauelement mit Halbleiterübergang (HU) vorgeschlagen, welches aus kristallinen dotierten Halbleiterteilschichten ausgebildet ist. Auf der Oberfläche des Bauelements ist eine Halbleiterschaltung (IC), im Inneren und direkt unterhalb der Schaltung ist eine Diode ausgebildet. Integrierte Schaltung und Diode sind miteinander verbunden und bilden ein integriertes Dioden-Bauelement, insbesondere ein Fotodioden-Array.</p> |
| 申请公布号 |
DE102004060365(A1) |
申请公布日期 |
2006.06.29 |
| 申请号 |
DE20041060365 |
申请日期 |
2004.12.15 |
| 申请人 |
AUSTRIAMICROSYSTEMS AG |
发明人 |
PRANTL, ANTON;STOWASSER, RAINER;SCHRANK, FRANZ |
| 分类号 |
H01L27/06;H01L21/84;H01L29/06;H01L31/103 |
主分类号 |
H01L27/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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