| 发明名称 |
Verfahren zur Ausbildung von Dual Gate Elektroden bei Anwendung des Damaszener Gate Prozesses |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102004063578(B4) |
申请公布日期 |
2006.06.29 |
| 申请号 |
DE200410063578 |
申请日期 |
2004.12.27 |
| 申请人 |
DONGBUANAM SEMICONDUCTOR INC., SEOUL/SOUL |
发明人 |
LEE, SANG GI |
| 分类号 |
H01L29/423;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/49;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/423 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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