一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法

摘要

本发明公开了一种测量半导体纳米结构光电性能的设备和方法，该设备包括：扫描探针显微镜、脉冲激光器、透镜和光电信号耦合测量部件。该方法是：利用扫描探针显微系统精确的空间定位和控制能力，使用导电针尖作为纳米电极，并采用背面入射的方法将脉冲激光引入样品待测区域，在对样品实施结构扫描的同时获得特定纳米区域的光激发电学特性。本发明的优点是：利用扫描探针显微镜的导电针尖作为高精度、高稳定性的移动纳米电极，可以对样品表面的微观区域进行光电响应的二维成像，像点间的信息具有很高的可比性，有助于对半导体光电功能材料的均匀性实施高分辨率的检测。

主权项

1.一种测量半导体纳米结构光电性能的设备，其特点是该设备包括：扫描探针显微镜(1)、脉冲激光器(2)、透镜(3)、反射镜(5)和光电信号耦合测量部件(4)；所述的扫描探针显微镜是商用的多模式扫描探针显微镜，包括：微悬臂探针(101)、微弱电流处理模块(102)、扫描系统(103)；所述的脉冲激光器经透镜会聚可在样品上形成≤1mm激光焦斑；扫描探针显微镜置于防振台上；所述的光电信号耦合测量部件可以为示波器。