发明名称 半导体存储器及其控制方法
摘要 本发明提供一种半导体存储器,其包含:多个存储单元,被配置于一矩阵阵列内;多个位线对,各自被连接至该多个存储单元中的每一列;多个检测放大器,各自被连接至每一位线对;多个第一开关;多个第二开关;多个第一数据线,各自被连接到通过与其对应的所述第一开关而在启动时所选取的一对位线对中的一个;以及多个第二数据线,各自通过与其对应的所述第二开关而被连接到所述第一数据线的其中之一;该第一数据线与该第二数据线被配置成彼此相交。本发明半导体存储器能够完成存储器共享而无需增加芯片区域,也能够连续地取出大量的数据。
申请公布号 CN1261946C 申请公布日期 2006.06.28
申请号 CN01810150.X 申请日期 2001.05.28
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 村井克己;堀川顺
分类号 G11C7/10(2006.01);G11C7/18(2006.01);G11C11/4096(2006.01);G11C11/4097(2006.01) 主分类号 G11C7/10(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 龙淳
主权项 1.一种半导体存储器,包含:多个存储单元(7),被配置于一矩阵阵列(1)内;多个位线对(BL,XBL),各自被连接至该多个存储单元中的每一列;多个检测放大器(5),各自被连接至每一位线对;多个第一开关(6);多个第二开关(4);多个第一数据线(DL,XDL),各自被连接到通过与其对应的所述第一开关而在启动时所选取的一对位线对中的一个;以及多个第二数据线(DB,XDB),各自通过与其对应的所述第二开关而被连接到所述第一数据线的其中之一;其特征在于:该第一数据线与该第二数据线被配置成彼此相交。
地址 日本大阪