| 发明名称 | 片层剥离纳米蒙脱土的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种片层剥离纳米蒙脱土的制备方法，尤其涉及一种采用机械法制备纳米蒙脱土的方法。它包括下述步骤：采用机械化学法对钠基蒙脱土进行有机插层改性，改性蒙脱土的水洗干燥和机械法对干燥后的改性蒙脱土进行片层剥离。本发明对有机插层改性后的蒙脱土进行适当的机械研磨从而得到了良好的片层剥离的纳米蒙脱土，本发明制备方法流程简单、适合工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1792791A | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN200510047794.8 | 申请日期 | 2005.11.23 |
| 申请人 | 沈阳化工学院 | 发明人 | 李三喜;翟辉;赵效忠;伞晓广;李天一;曲琛;李伟 |
| 分类号 | C01B33/40(2006.01);C01B33/44(2006.01) | 主分类号 | C01B33/40(2006.01) |
| 代理机构 | 辽宁沈阳国兴专利代理有限公司 | 代理人 | 李丛 |
| 主权项 | 1、片层剥离纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于它包括下述步骤：采用机械化学法对钠基蒙脱土进行有机插层改性，改性蒙脱土的水洗干燥和机械法对干燥后的改性蒙脱土进行片层剥离。 | ||
| 地址 | 110142辽宁省沈阳市沈阳经济技术开发区11号街 | ||