发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了通过减小电容器的表面积来提高有机电致发光显示器件孔径比的半导体器件,和制造该半导体器件的方法。通过形成与电容器电介质膜厚度不同的栅极电极的栅极绝缘膜,可以在不改变电容量的情况下减小电容器的表面积,由此提高有机电致发光显示器件的孔径比。半导体器件包括:多个形成于包括第一区域和第二区域的衬底上的半导体层图形;形成于包括半导体层图形的实质整个衬底表面上的绝缘膜,该绝缘膜在第一区域的一部分和第二区域上具有第一厚度,该第一厚度比第一区域内的半导体层图形的中心部分上的第二厚度小;及多个形成于绝缘膜上以覆盖第一区域内的半导体层图形的中心部分和第二区域内的半导体层图形的导电层图形。 |
申请公布号 |
CN1794452A |
申请公布日期 |
2006.06.28 |
申请号 |
CN200510124965.2 |
申请日期 |
2005.10.12 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
姜泰旭 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种半导体器件包括:多个形成于衬底上的半导体层图形,所述衬底包括第一区域和第二区域;形成于包括所述半导体层图形的实质整个衬底表面上的绝缘膜,其中该绝缘膜在所述第一区域的一部分和所述第二区域上具有第一厚度,该第一厚度比所述第一区域内的所述半导体层图形的中心部分上的第二厚度小;及多个形成于所述绝缘膜上以覆盖所述第一区域内的所述半导体层图形的所述中心部分和所述第二区域内的所述半导体层图形的导电层图形。 |
地址 |
韩国京畿道 |