| 发明名称 | 一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路 | ||
| 摘要 | 本发明属于大规模数字集成电路技术领域，具体为一种提高相变存储器存储密度的方法及其实现电路。它通过多个存储单元共享一个选通器件(如二极管、三极管、场效应晶体管等)来减小每个存储单元平均所占的面积。针对一种特殊的存储单元布局形式，采用了“层次位线”的存储器电路体系结构设计，其中，将位线通过多级的多路选择器，最后与读出放大器和写驱动电路相连接，从而提高读写操作的可靠性，减少误操作。 | ||
| 申请公布号 | CN1794352A | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN200510110252.0 | 申请日期 | 2005.11.10 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;刘欣;丁益青;李莹;汤庭鳌;陈邦明 |
| 分类号 | G11C11/34(2006.01);G11C11/4097(2006.01);H01L27/24(2006.01) | 主分类号 | G11C11/34(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1、一种提高相变存储器存储密度的方法，其特征在于用1TkR的存储单元结构取代了1T1R的传统结构，其中，k个存储单元共用一个选通管，构成复式存储单元结构，这里，k＝2，3，4…64。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||