| 发明名称 | 金属薄膜复合制备装置及工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种金属薄膜复合制备装置及工艺，要解决的技术问题是在工件表面快速沉积结合力好、纯度高的金属薄膜，本发明的金属薄膜复合制备装置，镀膜室体内设有蒸发源和工件转架，镀膜室体中设有磁控溅射源，工件转架设置在磁控溅射源和蒸发源之间，其制备工艺包括以下步骤：镀膜室体内抽真空；真空度小于1×10<SUP>－2</SUP>Pa后，向镀膜室体内充入氩气至真空度在3×10<SUP>－2</SUP>Pa～1Pa之间，在工件表面磁控溅射沉积金属膜；开启蒸发源在磁控溅射金属镀层上蒸镀同类金属，本发明与现有技术相比，沉积金属膜时先采用磁控溅射工艺，然后用真空蒸镀工艺，利用磁控溅射、真空蒸镀各自的优点，使膜纯度提高，与基体的结合力增强，进一步提高真空镀膜产品的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN1793416A | 申请公布日期 | 2006.06.28 |
| 申请号 | CN200510120798.4 | 申请日期 | 2005.12.12 |
| 申请人 | 深圳国家863计划材料表面工程技术研究开发中心 | 发明人 | 马胜歌;张德元;耿漫;赵和平 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01);C23C14/24(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/54(2006.01);C23C14/56(2006.01) | 主分类号 | C23C14/22(2006.01) |
| 代理机构 | 深圳市中知专利商标代理有限公司 | 代理人 | 孙皓;林虹 |
| 主权项 | 1.一种金属薄膜复合制备装置，其镀膜室体内设有蒸发源和工件转架，其特征在于：所述镀膜室体中设有磁控溅射源，工件转架设置在磁控溅射源和蒸发源之间。 | ||
| 地址 | 518008广东省深圳市宝安南路洪涛大厦 | ||