发明名称 制造用于从其上切割半导体晶片的单晶块的方法
摘要 本发明的制造单晶半导体块方法的特征在于,从较大直径的单晶半导体块(1a)中切割出用户所需的多个较小直径的单晶半导体块(2a)。这种方法的第二个优点在于,即使大直径单晶半导体块包含缺陷部分时,仍能够从缺陷区域之外的其它部分切割出一些小直径单晶半导体块使用。
申请公布号 CN1795542A 申请公布日期 2006.06.28
申请号 CN200480014337.2 申请日期 2004.07.15
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 松井康之;大槻诚
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 程金山
主权项 1.一种制造单晶半导体块的方法,其中从直径较大的单晶半导体块(1a)切出较小直径的单晶半导体块(2a),所述单晶半导体块(2a)用于切出用户所需的直径较小的单晶半导体晶片。
地址 日本大阪府