半导体结构及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离区于基材中，以隔离一主动区与一虚设主动区；移除主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，第一开口暴露出基材；移除虚设主动区中罩幕层的至少一部分，而形成一第二开口，第二开口暴露出基材；以及同时在第一开口与第二开口中的基材上进行一选择性磊晶成长步骤。藉由第二开口的导入，而磊晶成长发生于第二开口中，图案密度更为均匀，因此可降低图案负载效应。

主权项

1、一种半导体结构的制造方法，其特征在于其至少包括以下步骤：形成一罩幕层于一基材上；形成一隔离区于该基材中，以隔离一主动区与一虚设主动区；移除该主动区中该罩幕层的至少一部分，而形成一第一开口，该第一开口暴露出该基材；移除该虚设主动区中该罩幕层的至少一部分，而形成一第二开口，该第二开口暴露出该基材；以及同时在该第一开口与该第二开口中的该基材上进行一选择性磊晶成长步骤。