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发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF DECREASING LEAKAGE CURRENT BY PARASITIC FIELD TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060070028(A) 申请公布日期 2006.06.23
申请号 KR20040108645 申请日期 2004.12.20
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 SHIM, KEON SOO
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
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