| 主权项 |
1.一种对称化压控振荡器系统,其系包括: 一频率调谐电路,包括一个或一个以上可变电容以 接收一先已决定之调谐信号,及一用以改变该可变 电容其电容値之频率调谐偏压信号; 一调变电路,与包含一个或一个以上可变电容之该 频率调谐电路并接,用以调变一个或一个以上输出 ;以及 一核心电路,与该频率调谐电路和该调变电路并接 ,用以提供一振荡机制; 其中该对称化压控振荡器系统之电路组成皆系对 称设置,且该可变电容皆被调谐,以便在一输出频 率传送输出。 2.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该核心电 路更包括一电感模组,与该频率调谐电路和该调变 电路以并联方式耦接。 3.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该频率调 谐偏压信号系一固定电压。 4.如申请专利范围第1项所述之系统,其更包括一外 部控制电路,以提供一调变信号。 5.如申请专利范围第1项所述之系统,其更包括一锁 相回路模组,以根据该一个或一个以上输出,提供 该调谐信号。 6.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该频率调 谐电路更包括: 一第一电容与一第二电容,将其第一端点分别耦接 至一第一输出与一和该第一输出互补之第二输出; 一第一可变电容与一第二可变电容,和该第一与第 二电容串接于该第一与第二电容之间,该第一与第 二可变电容间之一中点耦接至该调谐信号;以及 一第一电阻与一第二电阻,和该第一与第二电容串 接于该第一与第二电容之间,该第一与第二电阻间 之一中点耦接至该频率调谐偏压信号; 其中该第一与第二电阻和该第一与第二可变电容 以基本上并联的方式耦接,且一同串接至该第一与 第二电容之第二端点。 7.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该调变电 路更包括: 一第一电容与一第二电容,将其第一端点分别串接 至该输出和其互补输出; 一第一可变电容与一第二可变电容,和该第一与第 二电容串接于该第一与第二电容之间,该第一与第 二可变电容间之一中点耦接至该调变信号;以及 一第一电阻与一第二电阻,和该第一与第二电容串 接于该第一与第二电容之间,该第一与第二电阻间 之一中点耦接至接地端; 其中该第一与第二电阻和该第一与第二可变电容 以并联的方式耦接,且一同串接至该第一与第二电 容之第二端点。 8.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该频率调 谐电路与该调变电路被整合以包括: 一第一电容与一第二电容,将其第一端点分别耦接 至第一输出和其互补之第二输出; 一第一可变电容群组,具一第一可变电容与一第二 可变电容,和该第一与第二电容串接于该第一与第 二电容之间,该第一与第二可变电容间之一中点耦 接至该调谐信号; 一电阻群组,与第一可变电容群组并接,具一第一 电阻与一第二电阻,和该第一与第二电容串接于该 第一与第二电容之间,该第一与第二电阻间之一中 点耦接至该频率调谐偏压信号;以及 一第二可变电容群组,与第一可变电容群组并接, 具一第三可变电容与一第四可变电容,和该第一与 第二电容串接于该第一与第二电容之间,该第三与 第四可变电容间之一中点耦接至该调变信号; 其中该第一与第二可变电容群组及该电阻群组一 同串接至该第一与第二电容之第二端点。 9.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该核心电 路更包括: 至少一PMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之PMOS电晶体,其源极耦接至一电源;以及 至少一NMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之NMOS电晶体,其源极耦接至一电气接地端; 其中该PMOS与NMOS电晶体之汲极耦接至该第一或第 二输出二者之一;以及 其中该PMOS或NMOS电晶体之一闸极系交互耦接至对 应配对之另一PMOS或NMOS电晶体之汲极。 10.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该核心 电路更包括: 至少一NMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一第一 与第二交互耦接之NMOS电晶体,其源极耦接至一电 气接地端,且其汲极分别耦接至一第一输出和一互 补之第二输出; 一第一电感模组,耦接于一电源与该第一输出之间 ; 一第二电感模组,耦接于该电源与该互补之第二输 出之间; 其中该第一与第二NMOS电晶体之闸极分别交互耦接 至该第二与第一NMOS电晶体之汲极。 11.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该核心 电路更包括: 至少一PMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一第一 与第二交互耦接之PMOS电晶体,其源极耦接至一电 源,且其汲极分别耦接至一第一输出和一互补之第 二输出; 一第一电感模组,耦接于接地端与该第一输出之间 ; 一第二电感模组,耦接于接地端与该互补之第二输 出之间; 其中该第一与第二PMOS电晶体之闸极分别交互耦接 至该第二与第一PMOS电晶体之汲极。 12.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该可变 电容系PN接面、标准模式NMOS/PMOS、或累积模式NMOS/ PMOS类型。 13.一种对称化压控振荡器系统,其系包括: 一频率调谐电路,包括一个或一个以上可变电容以 接收一先已决定之调谐信号,及一用以改变该可变 电容其电容値之频率调谐偏压信号; 一调变电路,与包含一个或一个以上可变电容之该 频率调谐电路并接,用以利用至少一调变信号,调 变一个或一个以上输出; 一锁相回路模组,以根据该一个或一个以上输出, 提供该调谐信号;以及 一核心电路,与该频率调谐电路和该调变电路并接 ,用以提供一振荡机制,该核心电路具至少一电感 模组; 其中该对称化压控振荡器系统之电路组成皆系对 称设置,且该可变电容皆被调谐,以便在一输出频 率传送输出。 14.如申请专利范围第13项所述之系统,其中该频率 调谐电路更包括: 一第一电容与一第二电容,将其第一端点分别耦接 至一第一输出与一和该第一输出互补之第二输出; 一第一可变电容与一第二可变电容,和该第一与第 二电容串接于该第一与第二电容之间,该第一与第 二可变电容间之一中点耦接至该调谐信号;以及 一第一电阻与一第二电阻,和该第一与第二电容串 接于该第一与第二电容之间,该第一与第二电阻间 之一中点耦接至该频率调谐偏压信号; 其中该第一与第二电阻和该第一与第二可变电容 以基本上并联的方式耦接,且一同串接至该第一与 第二电容之第二端点。 15.如申请专利范围第13项所述之系统,其中该调变 电路更包括: 一第一电容与一第二电容,将其第一端点分别串接 至该输出和其互补输出; 一第一可变电容与一第二可变电容,和该第一与第 二电容串接于该第一与第二电容之间,该第一与第 二可变电容间之一中点耦接至该调变信号;以及 一第一电阻与一第二电阻,和该第一与第二电容串 接于该第一与第二电容之间,该第一与第二电阻间 之一中点耦接至接地端; 其中该第一与第二电阻和该第一与第二可变电容 以并联的方式耦接,且一同串接至该第一与第二电 容之第二端点。 16.如申请专利范围第13项所述之系统,其中该核心 电路更包括: 至少一PMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之PMOS电晶体,其源极耦接至一电源;以及 至少一NMOS交互耦接之电晶体结构,具至少一对交 互耦接之NMOS电晶体,其源极耦接至一电气接地端; 其中该PMOS与NMOS电晶体之汲极耦接至该第一或第 二输出二者之一;以及 其中该PMOS或NMOS电晶体之一闸极系交互耦接至对 应配对之另一PMOS或NMOS电晶体之汲极。 17.一种对称化压控振荡器系统,其系包括: 一频率调谐电路,包括一个或一个以上可变电容以 接收一先已决定之调谐信号,及一用以改变该可变 电容其电容値之频率调谐偏压信号; 一调变电路,包含一个或一个以上可变电容,用以 调变一个或一个以上输出;以及 一核心电路,与该频率调谐电路和该调变电路并接 ,用以提供一振荡机制,该核心电路具至少一电感 模组; 其中该对称化压控振荡器系统之电路组成皆系对 称设置,且该可变电容皆被调谐,以便在一输出频 率传送输出;以及 其中该频率调谐电路与该调变电路被整合以包括: 一第一电容与一第二电容,将其第一端点分别耦接 至第一输出和其互补之第二输出; 一第一可变电容群组,具一第一可变电容与一第二 可变电容,和该第一与第二电容串接于该第一与第 二电容之间,该第一与第二可变电容间之一中点耦 接至该调谐信号; 一电阻群组,与第一可变电容群组并接,具一第一 电阻与一第二电阻,和该第一与第二电容串接于该 第一与第二电容之间,该第一与第二电阻间之一中 点耦接至该频率调谐偏压信号;以及 一第二可变电容群组,与第一可变电容群组并接, 具一第三可变电容与一第四可变电容,和该第一与 第二电容串接于该第一与第二电容之间,该第三与 第四可变电容间之一中点耦接至一调变信号; 其中该第一与第二可变电容群组及该电阻群组一 同串接至该第一与第二电容之第二端点。 18.如申请专利范围第17项所述之系统,其更包括一 锁相回路模组,以根据该一个或一个以上输出,提 供该调谐信号。 19.如申请专利范围第18项所述之系统,其更包括一 外部控制电路,以提供该调变信号。 20.如申请专利范围第19项所述之系统,其中该可变 电容系MOS可变电容。 图式简单说明: 第1图:系表示一个传统LC槽式对称化压控振荡器系 统电路。 第2图:系表示根据本发明一实施例的一高线性度 、信号调变之对称化LC槽式对称化压控振荡器系 统电路之一方块图。 第3图:系表示根据本发明另一实施例的一分离式 对称化LC槽式对称化压控振荡器系统电路。 第4A与4B图:系表示根据本发明另一实施例的另一 分离式对称化LC槽式对称化压控振荡器系统电路 。 第5图:系表示根据本发明另一实施例的一积体式 对称化LC槽式对称化压控振荡器系统电路。 |
