| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体的制造方法,包括: 在一基板上形成一多晶矽层; 于该多晶矽层上形成一光阻层,其中该光阻层具有 一图案以暴露出部分该多晶矽层,且该图案具有不 同厚度; 以该光阻层为一蚀刻罩幕,图案化该多晶矽层,以 定义出一多晶矽岛状物; 移除该光阻层部分厚度,以暴露出局部的该多晶矽 岛状物; 对局部暴露出的该多晶矽岛状物进行一第一离子 植入步骤,以形成一源极/汲极,而该源极/汲极之间 即是一通道区; 移除剩余之该光阻层; 在该基板及该多晶矽岛状物上形成一闸绝缘层; 在该闸绝缘层上形成一闸极; 在该闸极上形成一图案化介电层,其中该图案化介 电层系暴露出部分之该源极/汲极;以及 在该图案化介电层上形成一导体层,而该导体层系 与该源极/汲极电性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中在形成该闸极之后与在形成该图案化介 电层之前,更包括: 以该闸极为罩幕进行一浅掺杂离子植入步骤,以于 该源极/汲极与该通道区之间形成一浅掺杂汲极。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中在形成该多晶矽层之后与形成该光阻层 之前,更包括: 进行一第二离子植入步骤,以于该多晶矽层内植入 离子。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中在该基板上形成该多晶矽层之前,更包 括在该基板上形成一缓冲层。 5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中形成该光阻层之步骤包括使用具有一不 透光区域、一局部透光区域与一完全透光区域的 一光罩来进行一微影制程。 6.一种薄膜电晶体的制造方法,包括: 在一基板上形成一多晶矽层; 在该多晶矽层上形成一光阻层,其中该光阻层具有 一第一部分与一第二部分以暴露出部分该多晶矽 层,且该第一部分具有一图案,而该图案具有不同 厚度; 以该光阻层为一蚀刻罩幕,图案化该多晶矽层,以 分别定义出一第一多晶矽岛状物与一第二多晶矽 岛状物; 移除该光阻层部分厚度,以暴露出局部的该第一多 晶矽岛状物; 对局部暴露出的该第一多晶矽岛状物进行一第一 离子植入步骤,以形成一第一源极/汲极,而该第一 源极/汲极之间即是一第一通道区; 移除剩余之该光阻层; 在该基板上形成一闸绝缘层,并覆盖住该第一多晶 矽岛状物与该第二多晶矽岛状物; 在该第一多晶矽岛状物上方之该闸绝缘层上形成 一第一闸极,并且在该第二多晶矽岛状物上方之该 闸绝缘层上形成一第二闸极; 以该第一闸极为罩幕,进行一浅掺杂离子植入步骤 ,以于该第一源极/汲极与该第一通道区之间形成 一浅掺杂汲极; 进行一第二离子植入步骤,以于该第二闸极两侧下 方之该第二多晶矽岛状物内形成一第二源极/汲极 ,而该第二源极/汲极之间即是一第二通道区; 在该基板上形成一图案化介电层,其中该图案化介 电层系暴露出部分之该第一源极/汲极与部分之该 第二源极/汲极;以及 在该图案化介电层上形成一导体层,其中该导体层 系分别与该第一源极/汲极与该第二源极/汲极电 性连接。 7.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中在形成该多晶矽层之后与形成该光阻层 之前,更包括: 进行一第三离子植入步骤,以于该多晶矽层内植入 离子。 8.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中在该基板上形成该多晶矽层之前,更包 括在该基板上形成一缓冲层。 9.如申请专利范围第6项所述之薄膜电晶体的制造 方法,其中形成该光阻层之步骤包括使用具有一不 透光区域、一局部透光区域与一完全透光区域的 一光罩来进行一微影制程。 10.一种画素结构的制造方法,包括: 在一基板上形成一多晶矽层; 在该多晶矽层上形成一光阻层,其中该光阻层具有 一第一部分与一第二部分以暴露出部分该多晶矽 层,且该第一部分具有一图案,而该图案具有不同 厚度; 以该光阻层为一蚀刻罩幕,图案化该多晶矽层,以 分别定义出至少一第一多晶矽岛状物与一第二多 晶矽岛状物; 移除该光阻层部分厚度,以暴露出局部的该第一多 晶矽岛状物; 对局部暴露出的该第一多晶矽岛状物进行一第一 离子植入步骤,以形成一第一源极/汲极,而该第一 源极/汲极之间即是一第一通道区; 移除剩余之该光阻层; 在该基板上形成一闸绝缘层,并覆盖住该第一多晶 矽岛状物与该第二多晶矽岛状物; 在该第一多晶矽岛状物上方之该闸绝缘层上形成 一第一闸极,并且在该第二多晶矽岛状物上方之该 闸绝缘层上形成一第二闸极; 以该第一闸极为罩幕,进行一浅掺杂离子植入步骤 ,以于该第一源极/汲极与该第一通道区之间形成 一浅掺杂汲极; 进行一第二离子植入步骤,以于该第二闸极两侧下 方之该第二多晶矽岛状物内形成一第二源极/汲极 ,而该第二源极/汲极之间即是一第二通道区; 在该基板上形成一图案化介电层,其中该图案化介 电层系暴露出部分之该第一源极/汲极与部分之该 第二源极/汲极; 在该图案化介电层上形成一导体层,其中该导体层 系分别与该第一源极/汲极与该第二源极/汲极电 性连接; 在该基板上形成一保护层,其中该保护层系暴露出 部分之该导体层;以及 在该保护层上形成一透明导电层,以与暴露之该导 体层电性连接。 11.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造 方法,其中在形成该多晶矽层之后与形成该光阻层 之前,更包括: 进行一第三离子植入步骤,以于该多晶矽层内植入 离子。 12.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造 方法,其中在该基板上形成该多晶矽层之前,更包 括在该基板上形成一缓冲层。 13.如申请专利范围第10项所述之画素结构的制造 方法,其中形成该光阻层之步骤包括使用具有一不 透光区域、一局部透光区域与一完全透光区域的 一光罩来进行一微影制程。 图式简单说明: 图1A至图1I绘示为本发明第一实施例之薄膜电晶体 的制造流程的剖面示意图。 图2绘示为本发明第一实施例之另一种薄膜电晶体 的制造方法的剖面示意图。 图3A至图3J绘示为本发明第二实施例之一种薄膜电 晶体的制造流程的剖面示意图。 图3K与图3L绘示为使用图3J之薄膜电晶体制造画素 结构的流程剖面示意图。 |
