| 发明名称 | 真空压产生装置及具有该真空压产生装置的薄膜形成装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种真空压产生装置及具有该真空压产生装置的薄膜形成装置。真空压产生装置包括真空压产生单元及稳定化模块。真空压产生单元排出工序区域流体以在工序区域形成真空。稳定化模块置于工序区域及真空压产生单元之间，为了提高工序区域的真空均匀性，其具有流体通过的至少两个弯曲的流体通道。工序区域内流体通过弯曲的流体通道排出，以提高工序区域内的真空均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN1790612A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510115825.9 | 申请日期 | 2005.11.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 宋仁虎;赵宽英 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/3213(2006.01);G05B19/048(2006.01);C23C14/22(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23F4/00(2006.01);H01J37/32(2006.01);G02F1/1368(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李伟 |
| 主权项 | 1.一种真空压产生装置，其包括：真空压产生单元，排除工序区域流体以在所述工序区域内形成真空；以及稳定化模块，置于所述工序区域及所述真空压产生单元之间，为了提高所述工序区域的真空均匀性，其具有所述流体通过的至少两个弯曲的流体通道。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||