半导体器件内形成铜引线的方法

摘要

本发明涉及一种在半导体器件中形成铜引线的方法。本发明被发明出以防止因去除为形成镶嵌图案而对一低介电膜的一部分进行蚀刻时所产生的聚合物的湿法清洗工艺中或光致抗蚀剂图案的剥离工艺中有机溶剂、蚀刻气体等渗入裸露于镶嵌图案侧面的低介电膜，而造成的低介电膜的介电常数的升高以及铜扩散抑制膜的不良沉积。为了实现这些目的，聚合物层利用SiH₄等离子体变为SiCH薄膜，而无需清除该镶嵌图案侧面形成的聚合物层。因此，由于SiCH薄膜具有致密薄膜的品质和优良的机械强度，有机溶剂或蚀刻气体的渗透能够被防止。同样，该SiCH薄膜作为铜扩散抑制膜，并在结构上支撑具有弱机械强度的多孔低介电膜。

主权项

1.一种在半导体器件中形成铜引线的方法，包括以下步骤：设置一下层金属引线形成于其上的半导体衬底；在包括该下层金属引线在内的整个结构上形成一低介电膜；在该低介电膜上形成一硬掩膜层；在该硬掩膜层上形成一光致抗蚀剂图案，然后利用该光致抗蚀剂图案通过一蚀刻工艺蚀刻一部分低介电膜，从而形成一镶嵌图案，籍此在形成镶嵌图案的蚀刻工艺过程中产生的聚合物粘着在镶嵌图案侧面，以形成一聚合物层；利用SiH4等离子体将该聚合物层变为一SiCH薄膜，然后去除光致抗蚀剂图案；以及在包括被该硬掩膜层和SiCH薄膜包围的该低介电膜在内的整个结构上形成一铜层，然后用化学机械抛光工艺将该铜层抛光以形成铜引线。