发明名称 | 具有基于沟槽的源电极和栅电极的功率器件 | ||
摘要 | 功率半导体器件包括形成在半导体主体内的多个沟槽,每个沟槽包括一个或更多的形成于其中的电极。特别地,依据本发明的实施例,半导体器件的多个沟槽可包括一个或更多的栅电极,可包括一个或更多的栅电极或一个或更多的源电极,或可包括形成于其中的栅电极和源电极的组合。沟槽和电极在半导体主体内可具有不同的深度。 | ||
申请公布号 | CN1790745A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
申请号 | CN200510124958.2 | 申请日期 | 2005.08.29 |
申请人 | 国际整流器公司 | 发明人 | D·A·吉达尔;L·马 |
分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
主权项 | 1.一种功率半导体器件,包括:第一导电类型的半导体主体;在所述半导体主体内延伸至第一深度的多个栅沟槽;在所述半导体主体内延伸至第二深度的多个源沟槽,所述第二深度比所述第一深度大;在所述多个栅沟槽的每一个内的绝缘栅电极;在所述多个源沟槽的每一个内的绝缘源电极;第二导电类型的沟道区,在所述半导体主体中并具有邻近每个所述多个源沟槽的蚀刻表面;接触所述源电极并沿所述蚀刻表面接触所述沟道区的源接触;且其中所述多个栅沟槽和所述多个源沟槽以蜂窝状图案布置。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |