| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成掩膜材料的掩膜材料形成工序；将上述掩膜材料构图为给定的图案，在上述掩膜材料中形成凹部的凹部形成工序；在上述凹部中配置功能液的配置工序；将配置在上述凹部中的上述功能液干燥的干燥工序；通过上述干燥工序所形成的功能膜的缓冷(烧制)工序；以及将上述掩膜材料去除，形成由上述功能液的构成材料所形成的虚设栅极图案的图案形成工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1790622A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510120214.3 | 申请日期 | 2005.11.07 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 铃木聪 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成掩膜材料的掩膜材料形成工序；将上述掩膜材料构图为给定的图案，在上述掩膜材料中形成凹部的凹部形成工序；在上述凹部中配置功能液的配置工序；将配置在上述凹部中的上述功能液干燥的干燥工序；通过上述干燥工序所形成的功能膜的缓冷(烧制)工序；以及将上述掩膜材料去除，形成由上述功能液的构成材料所形成的虚设栅极图案的图案形成工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||