| 发明名称 | 单片多色、多量子阱半导体LED | ||
| 摘要 | 一种单片、多色半导体发光二极管(LED)，形成有多带隙、多量子阱(MQW)有源发光区，其发射在范围从UV到红的间隔开的波长带或区的光。所述MQW有源发光区包括MQW层堆叠，该MQW层堆叠包括将n－1个量子阱间隔开的n个量子垒。实施例包括这样的实施例，其中所述MQW层堆叠包括至少两个不同带隙的量子阱，用于在例如蓝或绿区和至少一个其它区发射两个不同波长的光，并且发射强度被调节以提供经组合的光发射的预选颜色，优选为白光。 | ||
| 申请公布号 | CN1790756A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510098678.9 | 申请日期 | 2005.09.09 |
| 申请人 | 蓝波光电股份有限公司 | 发明人 | 廖世蓉;叶瑾琳;提叻德切·德切普罗姆;陈志佳;叶亚川 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐谦;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种单片、多色半导体发光二极管(LED)，包括多带隙、多量子阱(MQW)有源发光区，其发射在范围从UV到红带或区的至少两个间隔开的波长带或区的光。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||