| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能够抑制阈值电压及漏极电流的随时间变化的半导体装置的制造方法。本发明的第1实施方式的半导体装置制造方法中，在半导体衬底(10)中离子注入氟素后，在半导体衬底(10)上形成栅极绝缘膜(14A)、栅极电极(15A)及保护绝缘膜(16A)，然后再次注入氟素。还形成p型源极·漏极扩张区域(18)及源极·漏极区域(19)。 | ||
| 申请公布号 | CN1790642A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510120089.6 | 申请日期 | 2005.11.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 佐藤好弘 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征为：包括：工序a，向半导体衬底离子注入氟素；工序b，在上述工序a之后，在上述半导体衬底上形成栅极绝缘膜；工序c，在上述栅极绝缘膜上形成栅极电极；工序d，在上述半导体衬底中位于上述栅极电极侧边下方的区域上，形成p型源极·漏极扩张区域；工序e，在上述工序c以后，向位于上述半导体衬底中的上述栅极电极侧边下方区域离子注入氟素；工序f，在上述工序d及上述工序e之后，形成位于上述栅极电极侧面上的侧壁；以及工序g，在上述半导体衬底中位于上述侧壁侧边下方的区域上形成p型源极·漏极区域。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||