| 发明名称 | 非易失性内存及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性内存及其制造方法，其结构于一衬底中具有一沟渠，而有一埋入式位线横越此沟渠，且有一字线覆盖此沟渠并越过埋入式位线，又于衬底与字线之间有一层电荷捕捉层。 | ||
| 申请公布号 | CN1260821C | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN02107552.2 | 申请日期 | 2002.03.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 郭东政 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01);H01L21/8246(2006.01) | 主分类号 | H01L27/112(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种非易失性内存，包括：一衬底，该衬底中具有一沟渠；一埋入式位线，横越该沟渠；一字线，覆盖该沟渠并越过该埋入式位线；一电荷捕捉层，位于该衬底与该字线之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||