一种形成闪存单元的方法

摘要

本发明提供一种形成一闪存单元的方法，至少包含下列步骤。首先，提供一底材；然后，依序形成一第一多晶硅层和一氮化层在底材上；接着，移除部分的氮化层和第一多晶硅层以形成数个洞并暴露出底材；下一步，在这些洞内形成一隔离介电质，其中隔离介电质在这些洞的一侧壁处呈现凸起状，且隔离介电质高于第一多晶硅层；然后，移除在第一多晶硅层上的氮化层；最后，共形地形成一第二多晶硅层在第一多晶硅层和隔离介电质上。

主权项

1.一种形成一闪存单元的方法，其特征在于，所述方法至少包括：提供一底材；形成一第一多晶硅层在所述底材上；形成一氮化层在所述第一多晶硅层上；移除部分所述氮化层和所述第一多晶硅层以形成数个洞并暴露出所述底材；形成一隔离介电质在所述洞内，其中所述隔离介电质在所述洞的一侧壁处呈现凸起状，且所述隔离介电质高于所述第一多晶硅层；移除在所述第一多晶硅层上的所述氮化层；以及共形地形成一第二多晶硅层在所述第一多晶硅层和所述隔离介电质上。