| 发明名称 | 绝缘层覆硅(SOI)晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SOI晶片，该SOI晶片为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为：该SOI层的面方位的偏角是由{110}只往<100>方向，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及提供一种SOI晶片的制造方法，至少贴合基底晶片和由硅单结晶所构成的结合晶片，将该结合晶片予以薄膜化以形成SOI层而成，其特征为：前述结合晶片是使用面方位由{110}只往因此，可以提供具有高的膜厚均匀性和良好的微观粗糙度，适合于高速元件的制作的SOI晶片及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1791982A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200480013227.4 | 申请日期 | 2004.05.07 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 高野清隆;角田均 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种SOI晶片，为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为：该SOI层的面方位由{110}只往<100>方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||