| 发明名称 | 剥离剂组合物以及使用该剥离剂组合物的剥离洗涤方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种剥离洗涤半导体基板或半导体元件的方法，其使用剥离剂组合物对含有金属配线的半导体基板或半导体元件进行剥离洗涤，其中所述剥离剂组合物含有由标准试验(A－1)测定的氧化铝溶解量为10ppm或以上的溶解剂以及由标准试验(B－1)测定的铝浸蚀量为7nm或以下的抑制剂，而且实质上不含有含氟化合物；涉及一种半导体基板或半导体元件的制造方法，其中所具有的工序包括该方法；以及涉及一种包含特定的酸以及特定的无机酸盐和/或有机酸盐的剥离剂组合物。本发明的剥离洗涤方法以及剥离剂组合物可以适用于更高速度、更高集成度、品质优良的LCD、存储器、CPU等电子部件的制造，其中尤其适用于使用了含有铝和/或钛的配线材料的半导体基板以及半导体元件的洗涤。 | ||
| 申请公布号 | CN1791969A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200480013411.9 | 申请日期 | 2004.06.04 |
| 申请人 | 花王株式会社 | 发明人 | 田村敦司;土井康广 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);G03F7/42(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1.一种剥离洗涤半导体基板或半导体元件的方法，其使用剥离剂组合物对含有金属配线的半导体基板或半导体元件进行剥离洗涤，其中所述剥离剂组合物含有由标准试验(A-1)测定的氧化铝溶解量为10ppm或以上的溶解剂以及由标准试验(B-1)测定的铝浸蚀量为7nm或以下的抑制剂，而且实质上不含有含氟化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||