| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：具有显示区域和驱动器的基板；多晶硅层，形成于基板上，并包括沟道、源和漏区和设置在沟道区与源和漏区之间、且具有低于源和漏区的杂质浓度的轻掺杂区；形成于多晶硅层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上并与多晶硅层的沟道区交叠而且掺杂有杂质的杂质层；形成于杂质层上的栅极；覆盖栅极并具有分别暴露出源和漏区的第一和第二接触孔的层间绝缘层；以及通过第一和第二接触孔分别连接到源和漏区的源和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN1790723A | 申请公布日期 | 2006.06.21 |
| 申请号 | CN200510119903.2 | 申请日期 | 2005.09.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑震九;柳春基;朴庆珉 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：具有显示区域和驱动器的基板；形成于基板上的多晶硅层，该多晶硅层包括沟道区、源和漏区以及设置在沟道区与源和漏区之间的轻掺杂区，该轻掺杂区具有比源和漏区的杂质浓度低的杂质浓度；形成于多晶硅层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上、并与多晶硅层的沟道区交叠的杂质层，杂质层掺杂有杂质；形成于杂质层上的栅极；覆盖栅极并具有分别暴露出源和漏区的第一和第二接触孔的层间绝缘层；和通过第一和第二接触孔分别连接到源和漏区上的源和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||